Силовые полупроводники GaN от STMicro снижают энергопотребление и позволяют создавать более тонкие конструкции в самых разных электронных продуктах. G-HEMT и G-FET семейства можно использовать в зарядных устройствах, внешних адаптерах питания, драйверах светодиодного освещения и источниках питания внутри телевизоров и бытовой техники. По оценкам сторонних экспертов, размер стандартного зарядного устройства для мобильного телефона может быть уменьшен до 40% при использовании компонентов GaN.

Первым устройством в семействе G-HEMT является 650-В SGT120R65AL с сопротивлением во включенном состоянии не более 120 мОм, допустимым током не более 15 А и подключением источника Кельвина для оптимального управления затвором. Деталь, помещенная в корпус PowerFLAT 5×6 HV для поверхностного монтажа, стоимость составляет 3 доллара при партии 1000 штук.

Другие разрабатываемые GaN-транзисторы на 650 В доступны в качестве инженерных образцов. Среди них SGT120R65A2S с сопротивлением во включенном состоянии 120 мОм в ламинированном корпусе 2SPAK, в котором отсутствует проводное соединение, что повышает эффективность и надежность в мощных и высокочастотных приложениях. SGT65R65AL и SGT65R65A2S с сопротивлением во включенном состоянии 65 мОм, поставляются с PowerFLAT 5×6 HV и 2SPAK соответственно. Массовое производство этих продуктов ожидается во втором полугодии 2022 года.

GaN-транзистор SGT250R65ALCS, относящийся к семейству G-FET, обеспечивает сопротивление в открытом состоянии 250 мОм. Будет выпускаться в третьем квартале 2022 года в корпусе PQFN 5×6. G-HEMT и G-FET являются частью семейства PowerGaN портфолио продуктов STPOWER.

 

Источник: www.edn.com